instruction stringlengths 10 262 | answer stringlengths 1 300 | short_answer stringlengths 1 300 | long_answer stringclasses 1
value | text stringlengths 128 3.9k | image imagewidth (px) 476 598 | quality stringclasses 1
value | source_dataset stringclasses 1
value | original_index int64 0 45k | metadata dict |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Quelle est l'utilisation d'un transistor ? | amplifier ou commuter les signaux électroniques et l'énergie électrique. | amplifier ou commuter les signaux électroniques et l'énergie électrique. | Un transistor est un dispositif semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et l'énergie électrique. Il est composé de matériaux semi-conducteurs avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe. Une tension ou un courant appliqué à une paire de terminaux du transist... | excellent | squad_fr | 0 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 0,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description"... | ||
De quoi est fait un transistor ? | matériaux semi-conducteurs | matériaux semi-conducteurs | Un transistor est un dispositif semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et l'énergie électrique. Il est composé de matériaux semi-conducteurs avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe. Une tension ou un courant appliqué à une paire de terminaux du transist... | excellent | squad_fr | 1 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 1,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description"... | ||
Pourquoi un transistor augmente-t-il le signal ? | la puissance contrôlée (de sortie) peut être supérieure à la puissance de commande (d'entrée), | la puissance contrôlée (de sortie) peut être supérieure à la puissance de commande (d'entrée), | Un transistor est un dispositif semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et l'énergie électrique. Il est composé de matériaux semi-conducteurs avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe. Une tension ou un courant appliqué à une paire de terminaux du transist... | excellent | squad_fr | 2 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 2,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description"... | ||
Quel est le montant minimal des terminaux de connexion externes pour appeler un élément un transistor ? | trois | trois | Un transistor est un dispositif semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et l'énergie électrique. Il est composé de matériaux semi-conducteurs avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe. Une tension ou un courant appliqué à une paire de terminaux du transist... | excellent | squad_fr | 3 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 3,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description"... | ||
Où se trouvent la plupart des transistors ? | incorporés dans des circuits intégrés. | incorporés dans des circuits intégrés. | Un transistor est un dispositif semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et l'énergie électrique. Il est composé de matériaux semi-conducteurs avec au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe. Une tension ou un courant appliqué à une paire de terminaux du transist... | excellent | squad_fr | 4 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 4,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description"... | ||
Quand le premier transistor a-t-il été créé ? | 1926 | 1926 | Le transistor est l'élément fondamental des dispositifs électroniques modernes et est omniprésent dans les systèmes électroniques modernes. Conçu par Julius Lilienfeld en 1926 et mis en œuvre en 1947 par les physiciens américains John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley, le transistor révolutionna le domaine d... | excellent | squad_fr | 5 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 5,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description"... | ||
Qui a inventé le premier transistor ? | Julius Lilienfeld | Julius Lilienfeld | Le transistor est l'élément fondamental des dispositifs électroniques modernes et est omniprésent dans les systèmes électroniques modernes. Conçu par Julius Lilienfeld en 1926 et mis en œuvre en 1947 par les physiciens américains John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley, le transistor révolutionna le domaine d... | excellent | squad_fr | 6 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 6,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description"... | ||
Quand le premier transistor a-t-il été mis en œuvre pour une utilisation pratique ? | 1947 | 1947 | Le transistor est l'élément fondamental des dispositifs électroniques modernes et est omniprésent dans les systèmes électroniques modernes. Conçu par Julius Lilienfeld en 1926 et mis en œuvre en 1947 par les physiciens américains John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley, le transistor révolutionna le domaine d... | excellent | squad_fr | 7 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 7,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description"... | ||
Quand les metteurs en œuvre ont-ils reçu un prix Nobel pour avoir fait le transistor ? | 1956 | 1956 | Le transistor est l'élément fondamental des dispositifs électroniques modernes et est omniprésent dans les systèmes électroniques modernes. Conçu par Julius Lilienfeld en 1926 et mis en œuvre en 1947 par les physiciens américains John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley, le transistor révolutionna le domaine d... | excellent | squad_fr | 8 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 8,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description"... | ||
Sur quelle liste est le transistor ? | liste des étapes de l'IEEE en électronique, | liste des étapes de l'IEEE en électronique, | Le transistor est l'élément fondamental des dispositifs électroniques modernes et est omniprésent dans les systèmes électroniques modernes. Conçu par Julius Lilienfeld en 1926 et mis en œuvre en 1947 par les physiciens américains John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley, le transistor révolutionna le domaine d... | excellent | squad_fr | 9 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 9,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description"... | ||
Quand la triode thermionique a-t-elle été inventée ? | 1907 | 1907 | Le triode thermionique, un tube à vide inventé en 1907, permet une technologie radio amplifiée et la téléphonie longue distance. La triode, cependant, était un dispositif fragile qui consommait beaucoup de puissance. Le physicien Julius Edgar Lilienfeld a déposé un brevet pour un transistor à effet de champ (FET) au Ca... | excellent | squad_fr | 10 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 10,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel était le but de la triode thermique ? | technologie radio amplifiée et la téléphonie longue distance. | technologie radio amplifiée et la téléphonie longue distance. | Le triode thermionique, un tube à vide inventé en 1907, permet une technologie radio amplifiée et la téléphonie longue distance. La triode, cependant, était un dispositif fragile qui consommait beaucoup de puissance. Le physicien Julius Edgar Lilienfeld a déposé un brevet pour un transistor à effet de champ (FET) au Ca... | excellent | squad_fr | 11 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 11,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qui a déposé un brevet pour le transistor à effet de champ ? | physicien Julius Edgar Lilienfeld | physicien Julius Edgar Lilienfeld | Le triode thermionique, un tube à vide inventé en 1907, permet une technologie radio amplifiée et la téléphonie longue distance. La triode, cependant, était un dispositif fragile qui consommait beaucoup de puissance. Le physicien Julius Edgar Lilienfeld a déposé un brevet pour un transistor à effet de champ (FET) au Ca... | excellent | squad_fr | 12 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 12,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Où Lilienfeld a-t-il déposé son brevet ? | Canada | Canada | Le triode thermionique, un tube à vide inventé en 1907, permet une technologie radio amplifiée et la téléphonie longue distance. La triode, cependant, était un dispositif fragile qui consommait beaucoup de puissance. Le physicien Julius Edgar Lilienfeld a déposé un brevet pour un transistor à effet de champ (FET) au Ca... | excellent | squad_fr | 13 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 13,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
En quelle année Lilienfeld a-t-il déposé son brevet ? | 1925 | 1925 | Le triode thermionique, un tube à vide inventé en 1907, permet une technologie radio amplifiée et la téléphonie longue distance. La triode, cependant, était un dispositif fragile qui consommait beaucoup de puissance. Le physicien Julius Edgar Lilienfeld a déposé un brevet pour un transistor à effet de champ (FET) au Ca... | excellent | squad_fr | 14 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 14,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
À quel moment Bardeen et Brattain ont-ils expérimenté l'augmentation de la production de signal ? | 17 novembre 1947 au 23 décembre 1947 | 17 novembre 1947 au 23 décembre 1947 | Du 17 novembre 1947 au 23 décembre 1947, John Bardeen et Walter Brattain aux Laboratoires Bell d'AT & T aux États-Unis réalisèrent des expériences et observèrent que lorsque deux contacts point d'or furent appliqués à un cristal de germanium, un signal fut produit avec une puissance de sortie supérieure à l'entrée. Wil... | excellent | squad_fr | 15 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 15,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quels étaient les contacts or fixés pour augmenter la sortie du signal ? | germanium | germanium | Du 17 novembre 1947 au 23 décembre 1947, John Bardeen et Walter Brattain aux Laboratoires Bell d'AT & T aux États-Unis réalisèrent des expériences et observèrent que lorsque deux contacts point d'or furent appliqués à un cristal de germanium, un signal fut produit avec une puissance de sortie supérieure à l'entrée. Wil... | excellent | squad_fr | 16 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 16,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qui était le leader du groupe Solid State Physics Group ? | William Shockley | William Shockley | Du 17 novembre 1947 au 23 décembre 1947, John Bardeen et Walter Brattain aux Laboratoires Bell d'AT & T aux États-Unis réalisèrent des expériences et observèrent que lorsque deux contacts point d'or furent appliqués à un cristal de germanium, un signal fut produit avec une puissance de sortie supérieure à l'entrée. Wil... | excellent | squad_fr | 17 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 17,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qui est venu avec le terme de transistor ? | John R. Pierce | John R. Pierce | Du 17 novembre 1947 au 23 décembre 1947, John Bardeen et Walter Brattain aux Laboratoires Bell d'AT & T aux États-Unis réalisèrent des expériences et observèrent que lorsque deux contacts point d'or furent appliqués à un cristal de germanium, un signal fut produit avec une puissance de sortie supérieure à l'entrée. Wil... | excellent | squad_fr | 18 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 18,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Pourquoi le terme transistor a-t-il été utilisé ? | contraction du terme transrésistance. | contraction du terme transrésistance. | Du 17 novembre 1947 au 23 décembre 1947, John Bardeen et Walter Brattain aux Laboratoires Bell d'AT & T aux États-Unis réalisèrent des expériences et observèrent que lorsque deux contacts point d'or furent appliqués à un cristal de germanium, un signal fut produit avec une puissance de sortie supérieure à l'entrée. Wil... | excellent | squad_fr | 19 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 19,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
En quelle année le transistor au point-contact a-t-il été inventé ? | 1948 | 1948 | En 1948, le transistor de point-contact fut inventé indépendamment par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant à la Compagnie des Freins et Signaux, filiale de Westinghouse située à Paris. Mataré avait déjà développé des rectificateurs cristal de silicium et de germanium dans l'ef... | excellent | squad_fr | 20 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 20,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Où Matare et Welker travaillaient-ils lors de l'invention du transistor au point-contact ? | Compagnie des Freins et Signaux | Compagnie des Freins et Signaux | En 1948, le transistor de point-contact fut inventé indépendamment par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant à la Compagnie des Freins et Signaux, filiale de Westinghouse située à Paris. Mataré avait déjà développé des rectificateurs cristal de silicium et de germanium dans l'ef... | excellent | squad_fr | 21 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 21,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qui a inventé le transistor de point-contact ? | Herbert Mataré et Heinrich Welker | Herbert Mataré et Heinrich Welker | En 1948, le transistor de point-contact fut inventé indépendamment par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant à la Compagnie des Freins et Signaux, filiale de Westinghouse située à Paris. Mataré avait déjà développé des rectificateurs cristal de silicium et de germanium dans l'ef... | excellent | squad_fr | 22 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 22,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel était le nom du transistor de Matare et Welker ? | transistron | transistron | En 1948, le transistor de point-contact fut inventé indépendamment par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant à la Compagnie des Freins et Signaux, filiale de Westinghouse située à Paris. Mataré avait déjà développé des rectificateurs cristal de silicium et de germanium dans l'ef... | excellent | squad_fr | 23 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 23,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
À quoi sert le transistron ? | un usage amplifié dans le réseau téléphonique français. | un usage amplifié dans le réseau téléphonique français. | En 1948, le transistor de point-contact fut inventé indépendamment par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant à la Compagnie des Freins et Signaux, filiale de Westinghouse située à Paris. Mataré avait déjà développé des rectificateurs cristal de silicium et de germanium dans l'ef... | excellent | squad_fr | 24 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 24,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Combien de transistors constituent une porte logique ? | d'une vingtaine de transistors alors qu'un | d'une vingtaine de transistors alors qu'un | Bien que plusieurs sociétés produisent chaque année plus d'un milliard de transistors emballés individuellement (appelés discrets), la grande majorité des transistors sont maintenant produits dans des circuits intégrés (souvent abrégés en IC, micropuces ou simplement puces), avec des diodes, des résistances, des conden... | excellent | squad_fr | 25 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 25,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Combien de transistors composent un microprocesseur ? | jusqu'à 3 milliards de transistors | jusqu'à 3 milliards de transistors | Bien que plusieurs sociétés produisent chaque année plus d'un milliard de transistors emballés individuellement (appelés discrets), la grande majorité des transistors sont maintenant produits dans des circuits intégrés (souvent abrégés en IC, micropuces ou simplement puces), avec des diodes, des résistances, des conden... | excellent | squad_fr | 26 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 26,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Combien de transistors ont été fabriqués en 2002 ? | 60 millions de transistors ont été construits en 2002... pour [chaque] homme, femme et enfant | 60 millions de transistors ont été construits en 2002... pour [chaque] homme, femme et enfant | Bien que plusieurs sociétés produisent chaque année plus d'un milliard de transistors emballés individuellement (appelés discrets), la grande majorité des transistors sont maintenant produits dans des circuits intégrés (souvent abrégés en IC, micropuces ou simplement puces), avec des diodes, des résistances, des conden... | excellent | squad_fr | 27 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 27,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Combien de transistors emballés individuellement sont produits chaque année ? | plus d'un milliard | plus d'un milliard | Bien que plusieurs sociétés produisent chaque année plus d'un milliard de transistors emballés individuellement (appelés discrets), la grande majorité des transistors sont maintenant produits dans des circuits intégrés (souvent abrégés en IC, micropuces ou simplement puces), avec des diodes, des résistances, des conden... | excellent | squad_fr | 28 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 28,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelles sont certaines abréviations pour les circuits intégrés ? | IC, micropuces ou simplement puces), | IC, micropuces ou simplement puces), | Bien que plusieurs sociétés produisent chaque année plus d'un milliard de transistors emballés individuellement (appelés discrets), la grande majorité des transistors sont maintenant produits dans des circuits intégrés (souvent abrégés en IC, micropuces ou simplement puces), avec des diodes, des résistances, des conden... | excellent | squad_fr | 29 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 29,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Pourquoi un transistor est-il si utile ? | gain | gain | L'utilité essentielle d'un transistor vient de sa capacité d'utiliser un petit signal appliqué entre une paire de ses terminaux pour contrôler un signal beaucoup plus grand dans une autre paire de terminaux. Cette propriété est appelée gain. Elle peut produire un signal de sortie plus fort, une tension ou un courant pr... | excellent | squad_fr | 30 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 30,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel est le gain ? | qu'il peut agir comme un amplificateur. | qu'il peut agir comme un amplificateur. | L'utilité essentielle d'un transistor vient de sa capacité d'utiliser un petit signal appliqué entre une paire de ses terminaux pour contrôler un signal beaucoup plus grand dans une autre paire de terminaux. Cette propriété est appelée gain. Elle peut produire un signal de sortie plus fort, une tension ou un courant pr... | excellent | squad_fr | 31 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 31,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelle est l'utilisation supplémentaire du transistor ? | également être utilisé pour activer ou éteindre le courant dans un circuit | également être utilisé pour activer ou éteindre le courant dans un circuit | L'utilité essentielle d'un transistor vient de sa capacité d'utiliser un petit signal appliqué entre une paire de ses terminaux pour contrôler un signal beaucoup plus grand dans une autre paire de terminaux. Cette propriété est appelée gain. Elle peut produire un signal de sortie plus fort, une tension ou un courant pr... | excellent | squad_fr | 32 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 32,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qui détermine la quantité de courant dans un commutateur à commande électrique ? | d'autres éléments du circuit. | d'autres éléments du circuit. | L'utilité essentielle d'un transistor vient de sa capacité d'utiliser un petit signal appliqué entre une paire de ses terminaux pour contrôler un signal beaucoup plus grand dans une autre paire de terminaux. Cette propriété est appelée gain. Elle peut produire un signal de sortie plus fort, une tension ou un courant pr... | excellent | squad_fr | 33 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 33,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Combien de types de transistors y a-t-il ? | deux | deux | Il existe deux types de transistors, qui ont de légères différences dans la façon dont ils sont utilisés dans un circuit. Un transistor bipolaire a des terminaux marqués base, collecteur et émetteur. Un petit courant au terminal de base (c'est-à-dire qui coule entre la base et l'émetteur) peut contrôler ou changer un c... | excellent | squad_fr | 34 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 34,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qui contrôle le grand courant entre le collecteur et l'émetteur ? | Un petit courant au terminal de base | Un petit courant au terminal de base | Il existe deux types de transistors, qui ont de légères différences dans la façon dont ils sont utilisés dans un circuit. Un transistor bipolaire a des terminaux marqués base, collecteur et émetteur. Un petit courant au terminal de base (c'est-à-dire qui coule entre la base et l'émetteur) peut contrôler ou changer un c... | excellent | squad_fr | 35 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 35,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quels sont les composants d'un transistor à effet de champ ? | porte, source et drain, | porte, source et drain, | Il existe deux types de transistors, qui ont de légères différences dans la façon dont ils sont utilisés dans un circuit. Un transistor bipolaire a des terminaux marqués base, collecteur et émetteur. Un petit courant au terminal de base (c'est-à-dire qui coule entre la base et l'émetteur) peut contrôler ou changer un c... | excellent | squad_fr | 36 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 36,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Dans un transistor à effet de champ, qu'est-ce qui contrôle le courant entre la source et le drain ? | une tension à la porte | une tension à la porte | Il existe deux types de transistors, qui ont de légères différences dans la façon dont ils sont utilisés dans un circuit. Un transistor bipolaire a des terminaux marqués base, collecteur et émetteur. Un petit courant au terminal de base (c'est-à-dire qui coule entre la base et l'émetteur) peut contrôler ou changer un c... | excellent | squad_fr | 37 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 37,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quels sont les composants d'un transistor bipolaire ? | base, collecteur et émetteur. | base, collecteur et émetteur. | Il existe deux types de transistors, qui ont de légères différences dans la façon dont ils sont utilisés dans un circuit. Un transistor bipolaire a des terminaux marqués base, collecteur et émetteur. Un petit courant au terminal de base (c'est-à-dire qui coule entre la base et l'émetteur) peut contrôler ou changer un c... | excellent | squad_fr | 38 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 38,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Pourquoi la tension du collecteur baisse-t-elle dans les circuits de transistors d'émission mis à la terre ? | résistance réduite du collecteur à l'émetteur. | résistance réduite du collecteur à l'émetteur. | Dans un circuit de transistors d'émission de sol, comme le circuit de commutation de lumière montré, à mesure que la tension de base augmente, les courants d'émission et de collecteur augmentent de manière exponentielle. La tension du collecteur diminue en raison de la résistance réduite du collecteur à l'émetteur. Si ... | excellent | squad_fr | 39 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 39,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Que se passerait-il si la différence de tension par rapport au collecteur et à l'émetteur était nulle ? | le courant collecteur ne serait limité que par la résistance à la charge (ampoule) et la tension d'alimentation. | le courant collecteur ne serait limité que par la résistance à la charge (ampoule) et la tension d'alimentation. | Dans un circuit de transistors d'émission de sol, comme le circuit de commutation de lumière montré, à mesure que la tension de base augmente, les courants d'émission et de collecteur augmentent de manière exponentielle. La tension du collecteur diminue en raison de la résistance réduite du collecteur à l'émetteur. Si ... | excellent | squad_fr | 40 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 40,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel est le terme pour une différence nulle entre le collecteur et l'émetteur ? | saturation | saturation | Dans un circuit de transistors d'émission de sol, comme le circuit de commutation de lumière montré, à mesure que la tension de base augmente, les courants d'émission et de collecteur augmentent de manière exponentielle. La tension du collecteur diminue en raison de la résistance réduite du collecteur à l'émetteur. Si ... | excellent | squad_fr | 41 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 41,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Pourquoi le terme de saturation est-il nommé comme tel ? | le courant passe du collecteur à l'émetteur librement. | le courant passe du collecteur à l'émetteur librement. | Dans un circuit de transistors d'émission de sol, comme le circuit de commutation de lumière montré, à mesure que la tension de base augmente, les courants d'émission et de collecteur augmentent de manière exponentielle. La tension du collecteur diminue en raison de la résistance réduite du collecteur à l'émetteur. Si ... | excellent | squad_fr | 42 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 42,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelle est la position de l'interrupteur lorsqu'il est saturé ? | on | on | Dans un circuit de transistors d'émission de sol, comme le circuit de commutation de lumière montré, à mesure que la tension de base augmente, les courants d'émission et de collecteur augmentent de manière exponentielle. La tension du collecteur diminue en raison de la résistance réduite du collecteur à l'émetteur. Si ... | excellent | squad_fr | 43 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 43,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel est le problème majeur avec l'utilisation des transistors bipolaires comme commutateurs ? | un courant d'entraînement de base suffisant | un courant d'entraînement de base suffisant | Fournir un courant d'entraînement de base suffisant est un problème clé dans l'utilisation des transistors bipolaires comme commutateurs. Le transistor fournit un gain de courant, permettant à un courant relativement important dans le collecteur d'être commuté par un courant beaucoup plus petit dans le terminal de base... | excellent | squad_fr | 44 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 44,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Que fournit le transistor ? | gain de courant | gain de courant | Fournir un courant d'entraînement de base suffisant est un problème clé dans l'utilisation des transistors bipolaires comme commutateurs. Le transistor fournit un gain de courant, permettant à un courant relativement important dans le collecteur d'être commuté par un courant beaucoup plus petit dans le terminal de base... | excellent | squad_fr | 45 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 45,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qui détermine le rapport de courant dans les transistors ? | type de transistor, | type de transistor, | Fournir un courant d'entraînement de base suffisant est un problème clé dans l'utilisation des transistors bipolaires comme commutateurs. Le transistor fournit un gain de courant, permettant à un courant relativement important dans le collecteur d'être commuté par un courant beaucoup plus petit dans le terminal de base... | excellent | squad_fr | 46 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 46,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Si le type de transistor est le même, qu'est-ce qui détermine le rapport actuel ? | courant collecteur | courant collecteur | Fournir un courant d'entraînement de base suffisant est un problème clé dans l'utilisation des transistors bipolaires comme commutateurs. Le transistor fournit un gain de courant, permettant à un courant relativement important dans le collecteur d'être commuté par un courant beaucoup plus petit dans le terminal de base... | excellent | squad_fr | 47 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 47,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Comment les paramètres sont-ils choisis dans un circuit de commutation ? | limiter la sortie aux courants de fuite trop petits pour affecter les circuits connectés ; | limiter la sortie aux courants de fuite trop petits pour affecter les circuits connectés ; | Dans un circuit de commutation, l'idée est de simuler, aussi près que possible, le commutateur idéal ayant les propriétés du circuit ouvert lorsqu'il est éteint, court-circuit lorsqu'il est activé, et une transition instantanée entre les deux états. Les paramètres sont choisis de manière à limiter la sortie aux courant... | excellent | squad_fr | 48 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 48,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qu'un circuit de commutation essaie de simuler quand il est activé ? | court-circuit | court-circuit | Dans un circuit de commutation, l'idée est de simuler, aussi près que possible, le commutateur idéal ayant les propriétés du circuit ouvert lorsqu'il est éteint, court-circuit lorsqu'il est activé, et une transition instantanée entre les deux états. Les paramètres sont choisis de manière à limiter la sortie aux courant... | excellent | squad_fr | 49 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 49,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qu'un circuit de commutation essaie de simuler lorsqu'il est éteint ? | circuit ouvert | circuit ouvert | Dans un circuit de commutation, l'idée est de simuler, aussi près que possible, le commutateur idéal ayant les propriétés du circuit ouvert lorsqu'il est éteint, court-circuit lorsqu'il est activé, et une transition instantanée entre les deux états. Les paramètres sont choisis de manière à limiter la sortie aux courant... | excellent | squad_fr | 50 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 50,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelle est la rapidité du changement de circuit ouvert à court-circuit ? | instantané | instantané | Dans un circuit de commutation, l'idée est de simuler, aussi près que possible, le commutateur idéal ayant les propriétés du circuit ouvert lorsqu'il est éteint, court-circuit lorsqu'il est activé, et une transition instantanée entre les deux états. Les paramètres sont choisis de manière à limiter la sortie aux courant... | excellent | squad_fr | 51 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 51,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qui donne leur nom aux transistors bipolaires ? | en utilisant des transporteurs majoritaires et minoritaires. | en utilisant des transporteurs majoritaires et minoritaires. | Les transistors bipolaires sont ainsi nommés parce qu'ils agissent en utilisant des transporteurs majoritaires et minoritaires. Le transistor de jonction bipolaire, le premier type de transistor à être produit en masse, est une combinaison de deux diodes de jonction, et est constitué soit d'une fine couche de semi-cond... | excellent | squad_fr | 52 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 52,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel a été le premier transistor produit en série ? | transistor de jonction bipolaire | transistor de jonction bipolaire | Les transistors bipolaires sont ainsi nommés parce qu'ils agissent en utilisant des transporteurs majoritaires et minoritaires. Le transistor de jonction bipolaire, le premier type de transistor à être produit en masse, est une combinaison de deux diodes de jonction, et est constitué soit d'une fine couche de semi-cond... | excellent | squad_fr | 53 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 53,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelle est la combinaison du transistor bipolaire de jonction ? | deux diodes de jonction | deux diodes de jonction | Les transistors bipolaires sont ainsi nommés parce qu'ils agissent en utilisant des transporteurs majoritaires et minoritaires. Le transistor de jonction bipolaire, le premier type de transistor à être produit en masse, est une combinaison de deux diodes de jonction, et est constitué soit d'une fine couche de semi-cond... | excellent | squad_fr | 54 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 54,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel est le nom d'une couche de semi-conducteurs de type P située entre deux semi-conducteurs de type n ? | (transistor n-p-n), | (transistor n-p-n), | Les transistors bipolaires sont ainsi nommés parce qu'ils agissent en utilisant des transporteurs majoritaires et minoritaires. Le transistor de jonction bipolaire, le premier type de transistor à être produit en masse, est une combinaison de deux diodes de jonction, et est constitué soit d'une fine couche de semi-cond... | excellent | squad_fr | 55 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 55,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel est le nom d'une couche de semi-conducteurs de type n située entre deux semi-conducteurs de type p ? | transistor | transistor | Les transistors bipolaires sont ainsi nommés parce qu'ils agissent en utilisant des transporteurs majoritaires et minoritaires. Le transistor de jonction bipolaire, le premier type de transistor à être produit en masse, est une combinaison de deux diodes de jonction, et est constitué soit d'une fine couche de semi-cond... | excellent | squad_fr | 56 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 56,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Combien de terminaux disposent les BJT ? | trois | trois | Les BJT ont trois terminaux, correspondant aux trois couches de semi-conducteurs — un émetteur, une base et un collecteur. Ils sont utiles dans les amplificateurs car les courants de l'émetteur et du collecteur sont contrôlables par un courant de base relativement faible. Dans un transistor n – p – n opérant dans la ré... | excellent | squad_fr | 57 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 57,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Combien de couches de semi-conducteurs ont les BJT ? | trois | trois | Les BJT ont trois terminaux, correspondant aux trois couches de semi-conducteurs — un émetteur, une base et un collecteur. Ils sont utiles dans les amplificateurs car les courants de l'émetteur et du collecteur sont contrôlables par un courant de base relativement faible. Dans un transistor n – p – n opérant dans la ré... | excellent | squad_fr | 58 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 58,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelles sont les couches de semi-conducteurs d'un BJT ? | un émetteur, une base et un collecteur. | un émetteur, une base et un collecteur. | Les BJT ont trois terminaux, correspondant aux trois couches de semi-conducteurs — un émetteur, une base et un collecteur. Ils sont utiles dans les amplificateurs car les courants de l'émetteur et du collecteur sont contrôlables par un courant de base relativement faible. Dans un transistor n – p – n opérant dans la ré... | excellent | squad_fr | 59 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 59,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Comment trouver le montant du collecteur à jour ? | β (gain courant de l'émetteur commun) fois le courant de base. | β (gain courant de l'émetteur commun) fois le courant de base. | Les BJT ont trois terminaux, correspondant aux trois couches de semi-conducteurs — un émetteur, une base et un collecteur. Ils sont utiles dans les amplificateurs car les courants de l'émetteur et du collecteur sont contrôlables par un courant de base relativement faible. Dans un transistor n – p – n opérant dans la ré... | excellent | squad_fr | 60 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 60,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel est le courant collecteur habituel pour les transistors de petite taille ? | plus grand que 100 | plus grand que 100 | Les BJT ont trois terminaux, correspondant aux trois couches de semi-conducteurs — un émetteur, une base et un collecteur. Ils sont utiles dans les amplificateurs car les courants de l'émetteur et du collecteur sont contrôlables par un courant de base relativement faible. Dans un transistor n – p – n opérant dans la ré... | excellent | squad_fr | 61 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 61,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qui détermine la conductivité d'un FET ? | du champ électrique produit lorsqu'une tension est appliquée entre la porte et le terminal source | du champ électrique produit lorsqu'une tension est appliquée entre la porte et le terminal source | Dans une EFP, le courant de drainage vers source passe par un canal conducteur qui relie la région source à la région de drainage. La conductivité varie en fonction du champ électrique produit lorsqu'une tension est appliquée entre la porte et le terminal source ; le courant entre le drain et la source est contrôlé par... | excellent | squad_fr | 62 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 62,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qui contrôle le courant entre le drain et la source ? | tension appliquée entre la porte et la source | tension appliquée entre la porte et la source | Dans une EFP, le courant de drainage vers source passe par un canal conducteur qui relie la région source à la région de drainage. La conductivité varie en fonction du champ électrique produit lorsqu'une tension est appliquée entre la porte et le terminal source ; le courant entre le drain et la source est contrôlé par... | excellent | squad_fr | 63 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 63,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
À quel rythme le courant de source de drainage augmente-t-il lorsque le courant de source de gate est augmenté ? | seuil, puis à un rythme quasi quadratique | seuil, puis à un rythme quasi quadratique | Dans une EFP, le courant de drainage vers source passe par un canal conducteur qui relie la région source à la région de drainage. La conductivité varie en fonction du champ électrique produit lorsqu'une tension est appliquée entre la porte et le terminal source ; le courant entre le drain et la source est contrôlé par... | excellent | squad_fr | 64 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 64,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Où un comportement quadratique n'est-il pas observé ? | dans les dispositifs modernes | dans les dispositifs modernes | Dans une EFP, le courant de drainage vers source passe par un canal conducteur qui relie la région source à la région de drainage. La conductivité varie en fonction du champ électrique produit lorsqu'une tension est appliquée entre la porte et le terminal source ; le courant entre le drain et la source est contrôlé par... | excellent | squad_fr | 65 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 65,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Combien de groupes les FET sont-ils répartis ? | deux | deux | Les FET sont divisés en deux familles : la jonction FET (JFET) et la porte isolée FET (IGFET). L'IGFET est plus connu sous le nom de FET métal-oxyde- semi-conducteur (MOSFET), reflétant sa construction initiale à partir de couches de métal (la porte), d'oxyde (l'isolation) et de semi-conducteurs. Contrairement aux IGFE... | excellent | squad_fr | 66 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 66,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Comment un JFET est-il différent d'un IGFET ? | la porte JFET forme une diode p- n avec le canal | la porte JFET forme une diode p- n avec le canal | Les FET sont divisés en deux familles : la jonction FET (JFET) et la porte isolée FET (IGFET). L'IGFET est plus connu sous le nom de FET métal-oxyde- semi-conducteur (MOSFET), reflétant sa construction initiale à partir de couches de métal (la porte), d'oxyde (l'isolation) et de semi-conducteurs. Contrairement aux IGFE... | excellent | squad_fr | 67 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 67,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quels sont les noms des groupes de FET | jonction FET (JFET) et la porte isolée FET (IGFET). | jonction FET (JFET) et la porte isolée FET (IGFET). | Les FET sont divisés en deux familles : la jonction FET (JFET) et la porte isolée FET (IGFET). L'IGFET est plus connu sous le nom de FET métal-oxyde- semi-conducteur (MOSFET), reflétant sa construction initiale à partir de couches de métal (la porte), d'oxyde (l'isolation) et de semi-conducteurs. Contrairement aux IGFE... | excellent | squad_fr | 68 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 68,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Dans quel mode JFET et IGFET opèrent-ils ? | mode déplétion, | mode déplétion, | Les FET sont divisés en deux familles : la jonction FET (JFET) et la porte isolée FET (IGFET). L'IGFET est plus connu sous le nom de FET métal-oxyde- semi-conducteur (MOSFET), reflétant sa construction initiale à partir de couches de métal (la porte), d'oxyde (l'isolation) et de semi-conducteurs. Contrairement aux IGFE... | excellent | squad_fr | 69 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 69,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel est le terme commun pour un IFGET ? | FET métal-oxyde- semi-conducteur (MOSFET), | FET métal-oxyde- semi-conducteur (MOSFET), | Les FET sont divisés en deux familles : la jonction FET (JFET) et la porte isolée FET (IGFET). L'IGFET est plus connu sous le nom de FET métal-oxyde- semi-conducteur (MOSFET), reflétant sa construction initiale à partir de couches de métal (la porte), d'oxyde (l'isolation) et de semi-conducteurs. Contrairement aux IGFE... | excellent | squad_fr | 70 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 70,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Comment les FET sont-ils séparés ? | modes d'épuisement et en modes d'amélioration, | modes d'épuisement et en modes d'amélioration, | Les FET sont ensuite divisés en modes d'épuisement et en modes d'amélioration, selon que le canal est activé ou non avec une tension de porte à source nulle. Pour le mode d'amélioration, le canal est coupé à biais nul, et un potentiel de porte peut "améliorer" la conduction. Pour le mode déplétion, le canal est en biai... | excellent | squad_fr | 71 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 71,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
À quel point un canal est-il désactivé en mode amélioration ? | à biais nul, | à biais nul, | Les FET sont ensuite divisés en modes d'épuisement et en modes d'amélioration, selon que le canal est activé ou non avec une tension de porte à source nulle. Pour le mode d'amélioration, le canal est coupé à biais nul, et un potentiel de porte peut "améliorer" la conduction. Pour le mode déplétion, le canal est en biai... | excellent | squad_fr | 72 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 72,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
À quel point un canal est-il en mode épuisement ? | à biais nul, | à biais nul, | Les FET sont ensuite divisés en modes d'épuisement et en modes d'amélioration, selon que le canal est activé ou non avec une tension de porte à source nulle. Pour le mode d'amélioration, le canal est coupé à biais nul, et un potentiel de porte peut "améliorer" la conduction. Pour le mode déplétion, le canal est en biai... | excellent | squad_fr | 73 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 73,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel canal correspond au courant élevé ? | dispositifs n-canaux | dispositifs n-canaux | Les FET sont ensuite divisés en modes d'épuisement et en modes d'amélioration, selon que le canal est activé ou non avec une tension de porte à source nulle. Pour le mode d'amélioration, le canal est coupé à biais nul, et un potentiel de porte peut "améliorer" la conduction. Pour le mode déplétion, le canal est en biai... | excellent | squad_fr | 74 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 74,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel canal correspond au courant faible ? | dispositifs n-canaux | dispositifs n-canaux | Les FET sont ensuite divisés en modes d'épuisement et en modes d'amélioration, selon que le canal est activé ou non avec une tension de porte à source nulle. Pour le mode d'amélioration, le canal est coupé à biais nul, et un potentiel de porte peut "améliorer" la conduction. Pour le mode déplétion, le canal est en biai... | excellent | squad_fr | 75 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 75,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel était le transistor le plus utilisé dans les années 1960 et 1970 ? | transistor de jonction bipolaire | transistor de jonction bipolaire | Le transistor de jonction bipolaire (BJT) était le transistor le plus utilisé dans les années 1960 et 1970. Même après que les MOSFET sont devenus largement disponibles, le BJT est resté le transistor de choix pour de nombreux circuits analogiques tels que les amplificateurs en raison de leur plus grande linéarité et f... | excellent | squad_fr | 76 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 76,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Pourquoi les BJT étaient-ils si populaires ? | leur plus grande linéarité et facilité de fabrication. | leur plus grande linéarité et facilité de fabrication. | Le transistor de jonction bipolaire (BJT) était le transistor le plus utilisé dans les années 1960 et 1970. Même après que les MOSFET sont devenus largement disponibles, le BJT est resté le transistor de choix pour de nombreux circuits analogiques tels que les amplificateurs en raison de leur plus grande linéarité et f... | excellent | squad_fr | 77 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 77,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelles sont certaines applications de MOSFET discrets ? | applications transistors, y compris les circuits analogiques, les régulateurs de tension, les amplificateurs, les émetteurs de puissance et les pilotes moteurs. | applications transistors, y compris les circuits analogiques, les régulateurs de tension, les amplificateurs, les émetteurs de puissance et les pilotes moteurs. | Le transistor de jonction bipolaire (BJT) était le transistor le plus utilisé dans les années 1960 et 1970. Même après que les MOSFET sont devenus largement disponibles, le BJT est resté le transistor de choix pour de nombreux circuits analogiques tels que les amplificateurs en raison de leur plus grande linéarité et f... | excellent | squad_fr | 78 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 78,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quels étaient les circuits numériques les plus populaires de l'époque ? | MOSFET | MOSFET | Le transistor de jonction bipolaire (BJT) était le transistor le plus utilisé dans les années 1960 et 1970. Même après que les MOSFET sont devenus largement disponibles, le BJT est resté le transistor de choix pour de nombreux circuits analogiques tels que les amplificateurs en raison de leur plus grande linéarité et f... | excellent | squad_fr | 79 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 79,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce que la norme Pro Electron ? | système européen de numérotation des pièces de l'Association européenne des fabricants de composants électroniques, commence par | système européen de numérotation des pièces de l'Association européenne des fabricants de composants électroniques, commence par | La norme Pro Electron, le système européen de numérotation des pièces de l'Association européenne des fabricants de composants électroniques, commence par deux lettres : la première donne le type de semi-conducteur (A pour le germanium, B pour le silicium et C pour les matériaux comme les GaAs) ; la deuxième lettre ind... | excellent | squad_fr | 80 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 80,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Combien de lettres le schéma de numérotation des pièces commence-t-il ? | deux lettres | deux lettres | La norme Pro Electron, le système européen de numérotation des pièces de l'Association européenne des fabricants de composants électroniques, commence par deux lettres : la première donne le type de semi-conducteur (A pour le germanium, B pour le silicium et C pour les matériaux comme les GaAs) ; la deuxième lettre ind... | excellent | squad_fr | 81 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 81,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelle est la première lettre du système de numérotation des pièces ? | le type de semi-conducteur | le type de semi-conducteur | La norme Pro Electron, le système européen de numérotation des pièces de l'Association européenne des fabricants de composants électroniques, commence par deux lettres : la première donne le type de semi-conducteur (A pour le germanium, B pour le silicium et C pour les matériaux comme les GaAs) ; la deuxième lettre ind... | excellent | squad_fr | 82 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 82,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce que la deuxième lettre du système de numérotation partielle ? | l'utilisation prévue | l'utilisation prévue | La norme Pro Electron, le système européen de numérotation des pièces de l'Association européenne des fabricants de composants électroniques, commence par deux lettres : la première donne le type de semi-conducteur (A pour le germanium, B pour le silicium et C pour les matériaux comme les GaAs) ; la deuxième lettre ind... | excellent | squad_fr | 83 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 83,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qui suit les 2 lettres du schéma de numérotation partielle ? | Un numéro de séquence à trois chiffres | Un numéro de séquence à trois chiffres | La norme Pro Electron, le système européen de numérotation des pièces de l'Association européenne des fabricants de composants électroniques, commence par deux lettres : la première donne le type de semi-conducteur (A pour le germanium, B pour le silicium et C pour les matériaux comme les GaAs) ; la deuxième lettre ind... | excellent | squad_fr | 84 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 84,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Avec quoi commence le numéro de transistor JEDEC EIA370 ? | 2N | 2N | Les numéros des transistors JEDEC EIA370 commencent généralement par "2N", indiquant un dispositif tri-terminal (les transistors à effet de champ à double porte sont des dispositifs à quatre terminaux, alors commencez par 3N), puis un numéro séquentiel à 2, 3 ou 4 chiffres sans signification quant aux propriétés du dis... | excellent | squad_fr | 85 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 85,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce que le 2N signifie le JEDEC EIA370 ? | un dispositif tri-terminal (les transistors à | un dispositif tri-terminal (les transistors à | Les numéros des transistors JEDEC EIA370 commencent généralement par "2N", indiquant un dispositif tri-terminal (les transistors à effet de champ à double porte sont des dispositifs à quatre terminaux, alors commencez par 3N), puis un numéro séquentiel à 2, 3 ou 4 chiffres sans signification quant aux propriétés du dis... | excellent | squad_fr | 86 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 86,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qui suit le 2N dans un JEDEC EIA370 ? | un numéro séquentiel à 2, 3 ou 4 chiffres sans signification quant aux propriétés du dispositif | un numéro séquentiel à 2, 3 ou 4 chiffres sans signification quant aux propriétés du dispositif | Les numéros des transistors JEDEC EIA370 commencent généralement par "2N", indiquant un dispositif tri-terminal (les transistors à effet de champ à double porte sont des dispositifs à quatre terminaux, alors commencez par 3N), puis un numéro séquentiel à 2, 3 ou 4 chiffres sans signification quant aux propriétés du dis... | excellent | squad_fr | 87 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 87,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Que signifie une lettre à la fin d'un numéro de périphérique ? | une variante plus récente | une variante plus récente | Les numéros des transistors JEDEC EIA370 commencent généralement par "2N", indiquant un dispositif tri-terminal (les transistors à effet de champ à double porte sont des dispositifs à quatre terminaux, alors commencez par 3N), puis un numéro séquentiel à 2, 3 ou 4 chiffres sans signification quant aux propriétés du dis... | excellent | squad_fr | 88 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 88,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'indique le numéro 2N1301 ? | un transistor de commutation p – n – p | un transistor de commutation p – n – p | Les numéros des transistors JEDEC EIA370 commencent généralement par "2N", indiquant un dispositif tri-terminal (les transistors à effet de champ à double porte sont des dispositifs à quatre terminaux, alors commencez par 3N), puis un numéro séquentiel à 2, 3 ou 4 chiffres sans signification quant aux propriétés du dis... | excellent | squad_fr | 89 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 89,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'était-ce qui était autrefois un indicateur du créateur des dispositifs ? | préfixe du fabricant | préfixe du fabricant | Les fabricants de dispositifs peuvent avoir leur propre système de numérotation propriétaire, par exemple CK722. Étant donné que les appareils sont seconds, un préfixe du fabricant (comme "MPF" en MPF102, qui dénote à l'origine un Motorola FET) est maintenant un indicateur peu fiable de qui a fait l'appareil. Certains ... | excellent | squad_fr | 90 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 90,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qui rend le préfixe du fabricant moins fiable ? | les appareils sont seconds | les appareils sont seconds | Les fabricants de dispositifs peuvent avoir leur propre système de numérotation propriétaire, par exemple CK722. Étant donné que les appareils sont seconds, un préfixe du fabricant (comme "MPF" en MPF102, qui dénote à l'origine un Motorola FET) est maintenant un indicateur peu fiable de qui a fait l'appareil. Certains ... | excellent | squad_fr | 91 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 91,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelle est la marque d'un 2N2222A dans un étui en plastique ? | PN2222A | PN2222A | Les fabricants de dispositifs peuvent avoir leur propre système de numérotation propriétaire, par exemple CK722. Étant donné que les appareils sont seconds, un préfixe du fabricant (comme "MPF" en MPF102, qui dénote à l'origine un Motorola FET) est maintenant un indicateur peu fiable de qui a fait l'appareil. Certains ... | excellent | squad_fr | 92 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 92,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Qu'est-ce qu'une version plastique d'un BC108 ? | PN108 | PN108 | Les fabricants de dispositifs peuvent avoir leur propre système de numérotation propriétaire, par exemple CK722. Étant donné que les appareils sont seconds, un préfixe du fabricant (comme "MPF" en MPF102, qui dénote à l'origine un Motorola FET) est maintenant un indicateur peu fiable de qui a fait l'appareil. Certains ... | excellent | squad_fr | 93 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 93,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelle est la tension de jonction vers l'avant ? | la tension appliquée à la jonction entre l'émetteur et la base d'un BJT | la tension appliquée à la jonction entre l'émetteur et la base d'un BJT | La tension de jonction vers l'avant est la tension appliquée à la jonction entre l'émetteur et la base d'un BJT afin que la base conduise un courant spécifié. Le courant augmente exponentiellement à mesure que la tension de jonction vers l'avant est augmentée. Les valeurs indiquées dans le tableau sont typiques pour un... | excellent | squad_fr | 94 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 94,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel est le but d'une tension de jonction vers l'avant ? | afin que la base conduise un courant spécifié. Le courant | afin que la base conduise un courant spécifié. Le courant | La tension de jonction vers l'avant est la tension appliquée à la jonction entre l'émetteur et la base d'un BJT afin que la base conduise un courant spécifié. Le courant augmente exponentiellement à mesure que la tension de jonction vers l'avant est augmentée. Les valeurs indiquées dans le tableau sont typiques pour un... | excellent | squad_fr | 95 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 95,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quelle est la tension de jonction idéale ? | moins | moins | La tension de jonction vers l'avant est la tension appliquée à la jonction entre l'émetteur et la base d'un BJT afin que la base conduise un courant spécifié. Le courant augmente exponentiellement à mesure que la tension de jonction vers l'avant est augmentée. Les valeurs indiquées dans le tableau sont typiques pour un... | excellent | squad_fr | 96 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 96,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Pourquoi la tension de jonction idéale vers l'avant est-elle inférieure ? | est faible, ce qui signifie qu'il faut moins de puissance pour "conduire" le transistor. | est faible, ce qui signifie qu'il faut moins de puissance pour "conduire" le transistor. | La tension de jonction vers l'avant est la tension appliquée à la jonction entre l'émetteur et la base d'un BJT afin que la base conduise un courant spécifié. Le courant augmente exponentiellement à mesure que la tension de jonction vers l'avant est augmentée. Les valeurs indiquées dans le tableau sont typiques pour un... | excellent | squad_fr | 97 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 97,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quand arrive-t-il à la tension de jonction vers l'avant lorsque la température est élevée ? | diminue | diminue | La tension de jonction vers l'avant est la tension appliquée à la jonction entre l'émetteur et la base d'un BJT afin que la base conduise un courant spécifié. Le courant augmente exponentiellement à mesure que la tension de jonction vers l'avant est augmentée. Les valeurs indiquées dans le tableau sont typiques pour un... | excellent | squad_fr | 98 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 98,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... | ||
Quel semi-conducteur a la plus grande mobilité électronique ? | GaAs | GaAs | Étant donné que la mobilité des électrons est supérieure à la mobilité des trous pour tous les matériaux semi-conducteurs, un transistor bipolaire donné n – p – n tend à être plus rapide qu'un transistor p – n – p équivalent. GaAs a la plus grande mobilité électronique des trois semi-conducteurs. C'est pour cette raiso... | excellent | squad_fr | 99 | {
"source": "squad_fr",
"config": "",
"original_index": 99,
"original_split": "train",
"has_short": true,
"has_long": false,
"answer_type": "short",
"answer_start_token": null,
"answer_end_token": null,
"extraction_method": "full_document",
"generation_resolution": "gundam",
"quality_description... |
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